碳化硅肖特基二极
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/mK)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积和重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。
产品优势
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| 零反向恢复 | 抗浪涌电流能力强 | 高温反向漏电低 | 雪崩耐量高 |
产品列表
| 产品类型 | 电流规格 | TO-220 | TO-247-3 | TO-247-2 | TO-257 | TO-252-2 | TO-263-2 | |
| 650V | 标准JBS | 4A | B1D04065K | B1D04065E | B1D04065F | |||
| 6A | B1D06065K | B1D06065E | B1D06065F | |||||
| 8A | B1D08065K | B1D08065E | B1D08065F | |||||
| 10A | B1D10065K | B1D10065F | ||||||
| 15A | B1D15065K | |||||||
| 20A | B1D20065K | B1D20065HC | ||||||
| 30A | B1D30065HC | |||||||
| 40A | B1D40065HC | |||||||
| 1200V | 标准JBS | 5A | B1D05120K | B1D05120E | ||||
| 10A | B1D10120K | B1D10120HC | B1D10120H | B1D10120E | ||||
| 15A | B1D15120K | |||||||
| 20A | B1D20120K | B1D20120HC | B1D20120H | |||||
| 30A | B1D30120HC | |||||||
| 40A | B1D40120HC | |||||||
| 高温JBS | 5A | B1D05120M | ||||||
| 10A | B1D10120M | |||||||
| 20A | B1D20120M | |||||||
| 1700V | 标准JBS | 5A | B1D05170K | B1D05170H | ||||
| 10A | B1D10170HC | B1D10170H | ||||||
| 20A | B1D20170HC | B1D20170H | ||||||
| 高温JBS | 5A | B1D05170M | ||||||
| 10A | B1D10170M | |||||||
| 20A | B1D20170M | |||||||